Teledyne LeCroy 為測試每種功率器件提供了更大的信心 - 從低壓 (60 V) GaN 功率 MOSFET 到 500 V 應用中使用的各種類型的 GaN 晶體管 (FET 或 HEMT)，再到通常用于高于1000 V 電壓的 SiC IGBT。
特勵達力科擁有在雙脈沖測試電路中測試 GaN MOSFET 和 SiC IGBT、測量逆變器子部分中的開關性能或測試整個系統運行所需的解決方案。
雙脈沖測試程序用于評估功率半導體的動態特性，雙脈沖測試使用柵極驅動信號對 DUT 施加應力并測量器件開啟/關閉期間的能量損耗，以及測量二極管的反向恢復。
典型差分探頭的差分和共模額定電壓最高約為 24 V（有時高達 42 V），高壓差分探頭的帶寬不足，在較低電壓下可能不夠準確，并且前端電容可能太大。光隔離高壓探頭價格昂貴，并且具有不必要的隔離性能，探頭需要優化 - 特勵達力科有這樣的探頭
60 V GaN 設計必須具有高效率才能最大程度延長電池壽命，為了最大程度提高效率，60 V GaN MOSFET 的上升時間最快可達 1 ns。需要低成本、高性能探頭來測量所有信號 — 柵極驅動、器件輸出、直流電壓和系統輸出。
對于 60 V 設計中存在的較低 dV/dT 和共模，光探頭太昂貴或性能太高。高壓差分探頭未針對此應用進行性能優化。只有一種差分探頭 - Teledyne LeCroy DL-HCM 系列 - 針對 60 V GaN 探測進行了優化。
DL-HCM 系列探頭具有忠實測量高速柵極驅動和設備輸出信號所需的高性能。
測量每個電路內信號，無論它位于電路的什么位置，并可切換衰減以獲得更高的電壓。
系統輸出測量通常不需要高帶寬，但仍需要高精度、低噪聲和良好的抗噪性（高探頭 CMRR）。如果探頭定價是一個挑戰，HVD 系列探頭可以平衡某些 GaN 系統測量的價格和性能。
Teledyne LeCroy 高清示波器 (HDO) 在示波器全帶寬下始終提供 12 位分辨率。一旦您使用 Teledyne LeCroy HDO，您就再也不想使用其他示波器了。
Teledyne LeCroy 示波器和軟件應用程序包可更快、更完整地調試半橋、全橋和級聯 H 橋逆變器子部分和系統。
快速上升時間和高開關電壓使無干擾測量變得十分困難，需要對信號采集更有信心，以確保測量信號準確地反映電路中的信號。
500 Vdc 設計中使用的 650 V GaN MOSFET 的高 dV/dt 和高電壓需要專門的光隔離探頭、高質量高壓差分探頭以及高分辨率、低噪聲的示波器。
光學隔離在最快的 dV/dt 下提供更佳的抗噪能力，同時還提供安全的操作、高信號保真度以及在緊湊的 GaN 設計中與電路內信號的更簡單的連接。
光學隔離在最快的 dV/dt 下提供更佳的抗噪能力，同時還提供安全的操作、高信號保真度以及在緊湊的 GaN 設計中與電路內信號的更簡單的連接。
HVD3000A 系列差分探頭在寬頻率范圍內提供高 CMRR，可簡化嘈雜、高共模電力電子環境中的測量挑戰。探頭的設計易于使用，可實現安全、精確的高壓浮動測量。
Teledyne LeCroy 高清示波器 (HDO) 在示波器滿全帶寬下始終提供 12 位分辨率。一旦您使用 Teledyne LeCroy HDO系列，您就再也不想使用其他示波器了。
Teledyne LeCroy 示波器和軟件應用程序包可更快、更完整地調試半橋、全橋和級聯 H 橋逆變器子部分和系統。
SiC IGBT 器件通常用于更高的開關電壓和電流，并且與常用的硅器件具有許多共同的特性。SiC 器件越來越多地應用于 800 V 牽引逆變器和下一代公用事業輸配電系統功率轉換設計中。
額定電壓為 1200 V、1700 V 和 3300 V 的 SiC IGBT 用于級聯 H 橋和多級級聯 H 橋設計，以在高功率水平下實現極高的工作電壓，需要高性能、堅固的探頭來測量這些設計中的各種信號。
光學隔離可在最快 dV/dt 下提供最佳的抗噪能力，同時還可為 SiC 設計中的電路內信號提供安全的操作、高信號保真度和方形接頭連接
Teledyne LeCroy HVD3605A 高壓差分探頭是值得考慮用于 >1500 V SiC 測量的高壓差分探頭，具有出色的抗噪能力和高性能。
公用電網太陽能光伏 (PV) 逆變器、不間斷電源 (UPS) 和焊接系統通常使用 1500 Vdc 總線來最大限度地降低系統成本。Teledyne LeCroy 的 HVD3206A 或 HVD3220 是此類應用的理想選擇。
Teledyne LeCroy 高清示波器 (HDO) 在示波器全帶寬下始終提供 12 位分辨率。一旦您使用 Teledyne LeCroy HDO，您就再也不想使用其他示波器了。
Teledyne LeCroy 示波器和軟件應用程序包可更快、更完整地調試級聯 H 橋和多級級聯 H 橋逆變器子部分和系統。
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比較高分辨率示波器設計方法
本白皮書概述了各種高分辨率設計方法，并舉例說明了它們對示波器性能的影響。 |
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如何在 5 分鐘內選擇最佳高壓示波器探頭 需要選擇高壓示波器探頭？面對眾多可能的選擇感到困惑？Teledyne LeCroy 提供高壓探頭選擇指南，這是一款在線工具，可幫助您做出明智的決定。以下是需要考慮的基本要點的細分。 |
閱讀應用說明 |
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雙脈沖測試推薦設備清單 推薦使用 Teledyne LeCroy 測試設備對 60 V GaN、650 V GaN/SiC 和 1000 V（或更高）SiC 進行雙脈沖測試，并附有 URL 鏈接。 |
產品規格書 |
在我們的三相電源和電機大師網絡研討會系列的第 1 部分中，我們描述了測量柵極驅動信號和器件輸出死區時間的技術，以確保實現裕度。
在我們的三相電源和電機大師網絡研討會系列的第 2 部分中，我們描述了靜態和動態功率分析之間的差異以及如何優化每種分析的設置和測量。
在我們的三相電源和電機大師網絡研討會系列的第 3 部分中，我們回顧了使用計算的每周期電源波形來驗證和調試控制系統操作以實現電源部分行為的示例。
在我們的三相電源和電機大師網絡研討會系列的第 4 部分中，我們回顧了在相當于設備開關時間的功率周期內計算的功率示例。
在三相電源和電機大師網絡研討會系列的第 5 部分中，我們演示了如何對交流線路（3 或 50 Hz）輸入和變頻輸出上的變頻波形執行總諧波失真 (THD) 和諧波分析。
在我們的三相電源和電機大師網絡研討會系列的第 6 部分中，我們重點介紹如何使用電機驅動分析儀 (MDA) 通過各種模擬、數字和串行數據傳感器來測量電機機械軸速度、扭矩和角度。
電力電子設計具有固有的測量挑戰。 有許多專門的高低壓單端和差分探頭可以滿足這個市場的特定需求。 然而，正確選擇和使用探頭對于操作員、設備和 DUT 的安全至關重要，并且對測量精度也有很大影響。
全部注冊在我們的電力電子探測網絡研討會系列的第 1 部分中，我們解釋了不同類型的高壓探頭以及如何為特定應用選擇最佳探頭。
在我們探索電力電子網絡研討會系列的第 2 部分中，我們提供了真實世界的應用示例和高壓探頭比較，以突出每種類型在不同應用示例中的優勢和劣勢的實際影響。
1 GHz 或更高帶寬的高清示波器市場呈現爆炸式增長，據稱可達 10 位， 12-bit 甚至（非常驚人！）16 位分辨率。示波器制造商使用各種設計方法來提高分辨率，其中一些方法會帶來其他性能權衡。加入 Teledyne LeCroy 的兩部分網絡研討會系列，以更好地了解各個制造商的聲明。
全部注冊示波器制造商使用多種設計方法來提高分辨率，其中一些會帶來其他性能折衷。 加入 Ken Johnson 參加這個由兩部分組成的網絡研討會系列，以更好地了解各種制造商的聲明。
示波器制造商使用多種設計方法來提高分辨率，其中一些會帶來其他性能折衷。 加入 Ken Johnson 參加這個由兩部分組成的網絡研討會系列，以更好地了解各種制造商的聲明。
在本次網絡研討會中，我們將介紹用于驗證和調試 48 V 電源轉換系統的新產品、最佳實踐和測量技術。
在本次網絡研討會中，與會者將學習如何安全地執行雙脈沖測試，以及如何捕獲和表征 GaN 或 SiC 功率半導體器件的動態響應。
選擇和使用臺式 PSU：購買臺式 PSU 時需要考慮的事項：線性切換模式、總功率、輸出數量、可編程等。使用臺式電源：了解充分利用臺式電源的提示和技巧電源：并行和串行輸出配置、4 線連接、在單個 DUT 上使用多個電源等。
在我們的示波器茶歇網絡研討會系列的第 2 部分中，我們解釋了消除時間誤差的糾偏。 探頭和/或通道之間的傳播延遲差異可能會影響定時測量精度。 將描述使這些錯誤最小化的方法。
此鏈接 teledynelecroy.com/寬帶隙#雙脈沖測試 有完整的詳細信息。總之，通常使用半橋電路，并在半橋的中點處構建一個可切換電感器。將模擬柵極驅動脈沖施加到低側或高側設備，并使用適當的隔離探頭和示波器進行各種測量。
單端探頭具有有效連接示波器接地和被測設備 (DUT) 參考接地的接地。如果 DUT 參考接地不能位于示波器（大地）接地，則在 DUT 參考浮于大地之上的電源轉換系統中進行任何測量時都需要使用隔離探頭。光隔離價格昂貴，但性能優越，尤其是在較高的浮動電壓和較高的開關電壓下，EMI 可能會對傳統（較低 CMRR）電隔離探頭的性能產生更大的干擾。
Teledyne LeCroy DL-ISO 是一種較新的更高帶寬探頭，針對小信號（例如柵極驅動）測量和更高電壓（器件輸出）測量進行了優化。DL-ISO 是 GaN 和 SiC 的理想選擇。Teledyne LeCroy HVFO 的帶寬較低（與硅和碳化硅的上升時間一致），并且僅針對小信號測量進行了優化，但成本遠低于 DL-ISO。此鏈接 https://www.teledynelecroy.com/probes/high-voltage-optically-isolated-probes 有一個簡短的比較。
兩種探頭的拓撲結構相似。Tek IsoVu 探頭的探頭帶寬為 1 GHz，探頭+示波器帶寬小于 1 GHz（與 1 GHz 示波器一起使用時），而 Teledyne LeCroy DL-ISO 的探頭+示波器帶寬額定值為 1 GHz（與 1 GHz 示波器一起使用時）。因此，IsoVu 光學隔離探頭連接到示波器時通常具有較慢的上升時間，而 Teledyne LeCroy DL-ISO 作為探頭+示波器組合的一部分始終具有全額定帶寬（和 435 ps 的上升時間）。Tek IsoVu 隔離探頭引線比 Teledyne LeCroy DL-ISO 更堅硬，靈活性更低，這在探測緊密電路時是一個缺點。Teledyne LeCroy DL-ISO 的噪聲更低、精度更高，信號再現更真實。不過，Tek IsoVu 受益于第二代設計，探頭尺寸更小。 觀看視頻探頭比較：DL-ISO 與 IsoVu 用于 GaN/SiC 測量 ，了解更多詳情。
48 至 60V 應用中的幅度略高于傳統差分探頭的共模和差分電壓額定值，遠低于 HV 差分探頭的共模和差分電壓額定值。額定共模為 1000V 的 HV 差分探頭通常具有可切換的衰減器（例如，50x 表示最大差分電壓額定值 ~200V，500x 表示最大差分電壓 ~2000V），高 (50x) 衰減和大于必要的差分電壓范圍會增加測量噪聲。此外，大多數 HV 差分探頭通常限制為 200 MHz（有少數例外，但 400 MHz 是迄今為止的上限），這限制了它們在基于 GaN 的設計中的用途。Teledyne LeCroy 的 DL-HCM 針對此特定應用中的這些電壓范圍進行了優化。 觀看網絡研討會 48 V 電源轉換測試最佳實踐 ，了解更多詳情。
Si、SiC 和 GaN 設計有許多不同的應用，需要不同的性能和各種可接受的價格點。 觀看網絡研討會如何選擇正確的高壓探頭 有關為您的應用選擇正確探頭的詳細信息。 觀看網絡研討會高壓探頭真實示例和比較 了解詳細信息。如果您沒有時間， 閱讀應用說明如何在 5 分鐘內選擇最佳高壓示波器探頭.
Teledyne LeCroy DA1855 和 DA1855A 系列差分放大器從 1990 世紀 2020 年代末一直生產到 1 年代初。當使用適當的引線連接到示波器時，它可以用作 HV 差分探頭，在某些 HV 模式下衰減低至 10 倍，在其他模式下增益為 100 倍，CMRR 為 100 dB，但帶寬只有 XNUMX MHz（不適用于 GaN 或 SiC）。 AP033 工作電壓高達 42V 共模，增益為 10 倍，適合分流電阻測量。 DL-HCM 衰減低至 7 倍，可能適合小信號測量。對于傳導損耗測量，我們建議使用問題“測量 MOSFET 或 IGBT 傳導損耗的最佳方法是什么？”中描述的技術。
將示波器懸空在地面上是不安全的——可能會導致示波器操作員嚴重受傷或死亡，損壞示波器和探頭，并損壞被測設備。懸空示波器還需要有意識地改變示波器的用途。出于這些原因，所有信譽良好的公司和實驗室都嚴格禁止懸空示波器，并要求使用額定值合適的高壓探頭。此外，即使避免了傷亡，懸空示波器采集的信號的測量保真度也可能受到影響。